Samsung enseña sus nuevos módulos DDR3 de 32GB

El gigante Samsung ha anunciado que empezará a enviar muestras de sus nuevos módulos de memoria DDR3 con capacidad de 32 GB, que supone la mayor capacidad alcanzada por unidades de memoria volátil. Las nuevas memorias usan 36 chips dobles de 4GB en medida de 40nm, su frecuencia es de 1.066Mhz y su voltaje 1,35V. El producto está orientado a servidores y estaciones de trabajo, pudiéndose realizar configuraciones de hasta 386 GB en 2 vías y hasta 2TB en 4 vías.

La producción en masa empezará sobre el mes de abril, para estar disponible en el mercado en los meses venideros.