Intel podría usar III-V en sus transistores en 2015

En una presentación Paolo Gargini, director de estrategia tecnológica de Intel, en el "Simposio Europeo de Estrategia de la Industria" celebrado en Dublín reveló algo de información acerca de los futuros planes de los semiconductores de Intel.

Gargini dijo que Intel podría utilizar materiales III-V en 2015 como opción para sus transistores, lo cual podría ofrecer hasta 3 veces el rendimiento del silicio con el mismo consumo, o un rendimiento idéntico pero con una décima parte de su consumo. Con todo, la clave parece estar en la integración de la fabricación de silicio convencional con estos pequeños transistores semiconductores compuestos.

Sin duda el progreso que se ha hecho con el silicio para llegar a los 32nm ha sido grande, y este progreso, según Gargini, continuará únicamente con añadidos más complicados al proceso básico de fabricación del silicio, como aumentar las cantidades de tensión necesarias para incrementar la movilidad del electrón sobre sus valores naturales y la posibilidad de usar estructuras 3D como FinFETS.