Samsung lanza las primeras memorias DDR3 a 30nm

El gigante tecnológico Samsung, dio a conocer la primera memoria RAM DDR3 hecha con tecnológica de 30nm. El módulo de 2GB ha sido comprobado de manera exitosa para el uso doméstico, éste permite ahorrar significativamente el consumo de energía, además de incrementar notablemente la productividad con esta tecnología.

La puesta de producción masiva de estas memorias se dará a partir de la segunda mitad del año 2010, esto ayudará a incrementar la productividad en un 60% comparado sobre las memorias DDR3 RAM a 40nm, además de ofrecer un ahorro del 30% de energía consumida sobre los módulos hechos a 50nm del mismo tipo.

Este tipo de memorias será usado en el futuro en todos los ámbitos computacionales ordinarios, tanto en servidores, ordenadores de escritorio y portátiles, incluso en móviles. Todo esto supondrá una innovación tecnológica por parte de la compañía.